MOSFET管(MOS管)基础
1场效应管和MOSFET管
1.1 什么是场效应管?
场效应晶体管(FieldEffffect Transistor缩写(FET))简称场效应管。它是利⽤控制输⼊回
路的电场效应来控制输出回路电流的⼀种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流
⼦导电,⼜称单极型晶体管。
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输⼊电阻⾼、噪声⼩、功耗低、动态范围大、易于集成、没有⼆次击穿现象、安全⼯作区域宽等优点
两种类型:
结型场效应管(junction FET—JFET)
⾦属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)
1.2 什么是MOS管?
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET ⾦属-氧化物半导体场效应晶体管,简称⾦氧半场效晶
体管。
⼀般是⾦属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是⾦
属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管属于场效应管
2 MOS管三个引脚
G:栅极(gate)
S:源极(source)
D:漏极(drain)
3 判定⽅法
G极—栅极,不⽤说⽐较好认
S极—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

4 寄生二极管的作用
如图,寄生二极管又称体二极管
防止Vds(漏极与源极之间的电压)过压时,烧坏MOS管
Vds过压时,寄生二极管先被反向击穿,大电流直接导向地端,从而保护mos管
防止MOS管的源极与漏极反接时烧坏MOS管
即源极接电源正极,漏极接电源负极时,电流回路通过寄生二极管流过,从而保护mos管

5 MOS管分类
5.1 按沟道分
寄生二极管指向D(漏极)为N沟道MOS管,简称NMOS;
寄生二极管指向S(源极)为P沟道MOS管,简称PMOS管

5.2 按材料分
增强型
栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流为零,即截止,要Vgs正偏(“增强”)达到一定阈值才能导通
耗尽型
栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零,即导通 (栅极偏压就导通),”耗尽“载流子才会截止
源极和漏极结构上是对称的
栅极-源极电压可正可负
6 MOS管的特点和作用
具有输入阻抗高、开关速度快,热稳定性好,电压控制电流等优点
可作为放大器、电子开关等用途